“Abbiamo appena approvato la prima decisione sugli aiuti di Stato” nell’ambito dello European Chips Act “dando il via libera a un investimento da 730 milioni di euro da parte di una società franco-italiana per la realizzazione di un nuovo stabilimento in Sicilia. Produrrà, per la prima volta in Europa, wafer di carburo di silicio su larga scala, ovvero la base dei semiconduttori”. Lo ha dichiarato la presidente della Commissione europea, Ursula von der Leyen, nel suo intervento al Tallinn Digital Summit

L’aiuto alla STMicroeletronics

La Commissione europea ha approvato, ai sensi delle norme dell’Ue sugli aiuti di Stato, una misura di aiuto di 292,5 milioni di euro messi a disposizione dall’Italia attraverso il Piano per la ripresa e la resilienza a favore di STMicroelectronics per la costruzione di uno stabilimento all’interno della catena di valore dei semiconduttori a Catania.

“La misura rafforzerà la sicurezza dell’approvvigionamento, la resilienza e la sovranità digitale dell’Europa nelle tecnologie dei semiconduttori, in linea con le ambizioni stabilite nella comunicazione relativa a una normativa sui chip per l’Europa, e contribuirà a realizzare sia la transizione digitale che quella verde”, sostiene la Commissione.

L’aiuto assumerà la forma di una sovvenzione diretta di 292,5 milioni di euro per sostenere un investimento pari a 730 milioni di euro effettuato da STMicroelectronics per la costruzione di uno stabilimento di wafer di carburo di silicio (SiC) a Catania. Il carburo di silicio è un materiale composto utilizzato per fabbricare wafer che fungono da base per specifici microchip utilizzati in dispositivi ad alte prestazioni, come i veicoli elettrici, le stazioni di ricarica rapida, le energie rinnovabili e altre applicazioni industriali.

Il progetto

l progetto, che dovrebbe essere ultimato nel 2026, darà vita alla prima linea di produzione integrata di wafer epitassiali di carburo di silicio su scala industriale in Europa. Riunirà nello stesso impianto di produzione l’intera catena del valore del substrato di carburo di silicio, vale a dire dalla produzione della materia prima (polvere di SiC) alla fabbricazione dei wafer. I wafer di carburo di silicio saranno pronti per un ulteriore utilizzo a seguito di un processo di trattamento aggiuntivo nello stabilimento, nell’ambito del quale sui wafer di SiC viene applicato uno specifico strato epitassiale che ne potenzia le capacità tecniche (i cosiddetti «epiwafer in carburo di silicio”).

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